華為等申專利，圖突破限制產(chǎn)5納米芯片
發(fā)布時(shí)間：2024-03-24 15:41
外電報(bào)道，華為與國(guó)資芯片制造設(shè)備開(kāi)發(fā)商新凱來(lái)正就一芯片制造方法申請(qǐng)專利，此方法雖然技術(shù)含量低，但能有效制造先進(jìn)半導(dǎo)體，有望提高華為突破美國(guó)限制中國(guó)高端制造創(chuàng)新的可能性。
報(bào)道指，根據(jù)兩企向中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)當(dāng)局提交的文件，有關(guān)專利涉及“自對(duì)準(zhǔn)四重成像技術(shù)（SAQP）”，或有助減少采用高階光刻技術(shù)以生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片，推使華為能夠在沒(méi)有荷蘭芯片設(shè)備制造巨頭ASML最先進(jìn)的極紫外線（EUV）光刻機(jī)下，仍能生產(chǎn)高端芯片。
文件顯示，新凱來(lái)具有采用深紫外線（DUV）光刻技術(shù)、芯片制造機(jī)器和SAQP技術(shù)的專利，以達(dá)到生產(chǎn)5納米芯片的某些技術(shù)門(mén)檻。 不過(guò)，有研究機(jī)構(gòu)指，SAQP能夠讓華為制造5納米芯片，但不能完全克服沒(méi)有EUV的技術(shù)問(wèn)題。
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